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1ML -2- LAYERS-GRAPH-SIO2-4P說明書

 更新時間:2019-03-13 點擊量:1197

graphene supermarket 1ML -2- LAYERS-GRAPH-SIO2-4P說明書

 

 

SiO2 / Si晶片上的兩層CVD石墨烯薄膜:4包

Two Layers of CVD Graphene Film on SiO2/Si Wafer: 4 pack

Two Layers of CVD Graphene Film on SiO2/Si Wafer: 4 pack

 

石墨烯薄膜的特性:

將兩層單層CVD石墨烯膜轉移  到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上 

尺寸:1cmx1cm; 4包

將每個石墨烯膜連續轉移到晶片上

我們的石墨烯薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制

該產品的石墨烯覆蓋率約為98%

石墨烯薄膜是連續的,具有小孔和有機殘留物

每個石墨烯薄膜主要是單層(超過95%),偶爾有小的多層島(低于5%的雙層)

每個石墨烯膜是多晶的,即它由具有不同結晶取向的晶粒組成

沒有AB堆疊訂單。石墨烯膜相對于彼此隨機取向

薄層電阻:215-700Ω/平方

 

硅/二氧化硅晶片的特性:

氧化層厚度:285nm

顏色:紫羅蘭色

晶圓厚度:525微米

電阻率:0.001-0.005歐姆 - 厘米

型號/摻雜劑:P /硼

方向:<100>

前表面:拋光

背面:蝕刻

 

應用:

石墨烯電子和晶體管

導電涂料

航空航天工業應用

支持金屬催化劑

微執行器

MEMS和NEMS

化學和生物傳感器

基于石墨烯的多功能材料

石墨烯研究

 

我們的石墨烯薄膜使用PMMA輔助轉移方法制造。

有關詳細信息,請參閱以下參考。

 

學術參考/閱讀更多

石墨烯生長

在銅箔上大面積合成高質量和均勻的石墨烯薄膜科學2009年6月5日:Vol。324.沒有。5932,pp.1312 - 1314

石墨烯轉移

用于高性能透明導電電極的大面積石墨烯薄膜的轉移,Li et.al.,Nano Lett。,2009,9(12),pp 4359-4363

走向清潔和無裂縫轉移石墨烯Liang et.al.,ACS Nano,2011,5(11),pp 9144-9153

 
SKU1ML -2- LAYERS-GRAPH-SIO2-4P
 
350.00美元

詳細的圖像

 

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